Ferienakademie der Technischen Universität München und der Universität Erlangen, Sarntal 1996

Kurs 7

Schichtherstellung in der Werkstofftechnik - Verfahren, Modelle und numerische Simulation

  1. Einführung
    1. Einführung in die Dünnfilmtechnik (Prof. Georg Müller, 23.9.)
    2. Einführung in numerische Berechnungsverfahren (Prof. K.-H. Hoffmann, 27.9., 30.9.)
  2. Elementare Schritte des Schichtwachstums
    1. Theorien und Modelle zur heterogenen Keimbildung (Josef Stenzenberger, 24.9.)
    2. Oberflächendiffusion (Maximilian Ulbrich, 23.9.)
    3. STEFAN-Probleme (Michael Podlesjka, 23-24.9.)
    4. Monte-Carlo-Simulation (Thomas Kronseder, 24.-25.9.)
  3. Elementare Schritte des Schichtwachstums
    1. Wachstum von SiO2-Schichten (Andreas Weimar, 25.9.)
    2. Modellierung der Herstellung von Halbleiterschichten durch chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) (Hella Stroh, 26.9.)
    3. Theorie zur globalen Simulation eines CVD-Reaktors mittels Finiten Volumen Verfahren (Matthias Kurz, 26.9.)
    4. Abscheidung von SiC-Schichten aus der Gasphase (Dr. Roland Rupp, Siemens AG, 27.9.)
    5. Plasmaunterstützte Abscheideverfahren, insbesondere Sputtern (Christian Bauer, 30.9.)
  4. Elementare Schritte des Schichtwachstums
    1. Mechanische Spannungen und plastische Deformation beim Schichtwachstum (Christina Hack, 30.9.)
    2. Wachstum auf facettierten Kristallflächen (Martin Natzer, 26.-27.9.)
    3. Phasenumwandlungen in mehrkomponentigen Mischungen (Andreas Niedermeier, 1.10.)
    4. Dendritenwachstum (Axel Voigt, 2.10.)
    5. Struktur und Eigenschaften von Korngrenzen bei Dünnfilmen (Bernd Eisener, 2.10.)
  5. Anwendungsbeispiele
    1. Dünnschichtsolarzellen (Dietrich Wolf, 2.10.)
  6. Kurzfristig ins Programm genommen:
    1. Keramiken und MOCVD (Prof. W. A. Hermann, 26.9.)
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=> Fotos von Teilnehmern aus Kurs 7
Anderl Niedermeier (E-Mail: niedermafachschaften.tu-muenchen.de), 25.11.1996, Letzte Änderung: 19.12.1996